Использование солнечного излучения для выработки электроэнергии в промышленных масштабах ограничивается четырьмя факторами: зависимостью мощности солнечных электростанций от времени суток, зависимостью мощности солнечных электростанций от погодных условий, необходимостью выделения для солнечных электростанций больших земельных участков, стоимостью фотоэлектрических элементов.
Совершенствование технологии изготовления фотоэлементов постоянно повышает их эффективность и снижает стоимость. Настоящим прорывом стало появление на рынке солнечных технологий в 2007 году пленочных фотоэлементов. Лидером в этом направлении является компания Nanosolar, расположенная в Силиконовой долине (США, Калифорния).
Новизна технологии производства солнечных элементов заключается в использовании пленок медь-индий-диселенид-галлия (CIGS-пленки). Этот полупроводник характеризуется на 20% большим фотоэлектрическим эффектом, чем кремниевые солнечные элементы. Тонкая пленка CIGS толщиной всего 1 микрометр производит столько же электричества, сколько 200–300-микронная полупроводниковая кремниевая подложка. Благодаря этому солнечные элементы могут быть нанесены на гибкую основу.
Источник: http://www.ng.ru/energy/2009-02-10/11_air.html?insidedoc | 
